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低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備 | |
項(xiàng)目所在采購(gòu)意向: | ****2025年2至4月政府采購(gòu)意向 |
采購(gòu)單位: | **** |
采購(gòu)項(xiàng)目名稱(chēng): | 低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備 |
預(yù)算金額: | 685.000000萬(wàn)元(人民幣) |
采購(gòu)品目: | A-貨物_A****0000-設(shè)備_A****0000-機(jī)械設(shè)備_A****2400-真空獲得及應(yīng)用設(shè)備_A****2499-其他真空獲得及應(yīng)用設(shè)備 |
采購(gòu)需求概況 : | 申請(qǐng)購(gòu)置的低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備將用于硅基薄膜材料的生長(zhǎng)沉積和退火等工藝,包括氮化硅、氧化硅、碳化硅材料等。其中配備的氮化硅、TEOS和熱退火工藝是硅基光電子領(lǐng)域最常用的標(biāo)準(zhǔn)工藝和基礎(chǔ)。 1. 適用于8英寸晶圓, 向下兼容,單管產(chǎn)能不低于50片。 2. 三溫區(qū),恒溫區(qū)長(zhǎng)度>450 mm, 控溫精度: ±0.5 ℃。 3. 極限真空≤10 mTorr;抽真空用時(shí) < 10 min;漏率≤10 mTorr/min 4. 高溫退火:工作溫度≥1250℃ 5. 膜厚均勻性指標(biāo):片內(nèi)< 3%、片間< 3%、批間< 3% |
預(yù)計(jì)采購(gòu)時(shí)間: | 2025-04 |
備注: |
本次公開(kāi)的****政府采購(gòu)工作的初步安排,具體采購(gòu)項(xiàng)目情況以相關(guān)采購(gòu)公告和采購(gòu)文件為準(zhǔn)。